Samsung 850 EVO 2.5" 500 Go SATA III 3-D Vertical interne SSD

Améliorez pratiquement tous les aspects des performances de votre ordinateur avec le nouveau 850 EVO de Samsung, conçu avec les avancées SSD de pointe, y compris la technologie 3D V-NAND. En tant que prochaine génération au-delà du best-seller 840 EVO, vous obtiendrez la nouvelle conception de puce tridimensionnelle du 850 EVO qui permet des performances supérieures, une plus grande fiabilité et une efficacité énergétique supérieure afin que vous puissiez travailler et jouer plus rapidement et plus longtemps que jamais.

L'architecture innovante de mémoire flash V-NAND 3D de Samsung dépasse les limites de densité, de performances et d'endurance de l'architecture NAND planaire conventionnelle d'aujourd'hui. Samsung 3D V-NAND empile 32 couches de cellules verticalement, ce qui permet d'obtenir une densité plus élevée et de meilleures performances avec un encombrement réduit.

Vitesses de lecture/écriture incroyables

Obtenez des performances de lecture/écriture incroyables pour maximiser votre expérience informatique quotidienne avec la technologie TurboWrite de Samsung. Vous pouvez obtenir des performances jusqu'à 1,9 fois plus rapides que le Samsung 840 EVO primé. Le 850 EVO offre des performances de pointe* en lecture séquentielle (540 Mo/s) et en écriture (520 Mo/s). De plus, obtenez des performances aléatoires optimisées dans tous les QD pour de meilleures performances dans le monde réel.

* Performances comparées aux disques SSD de classe MLC 3 bits.

Mode RAPIDE amélioré

Le logiciel Magician de Samsung active le mode RAPID pour des performances jusqu'à 2 fois plus rapides* en utilisant la mémoire PC inutilisée (DRAM) comme cache haute vitesse. La dernière version de Samsung Magician prend en charge jusqu'à 4 Go de cache sur un système doté de 16 Go de DRAM.

* Par rapport au même lecteur sans RAPID activé

Endurance et fiabilité garanties

Le 850 EVO double l'endurance* et la fiabilité** par rapport à la génération précédente 840 EVO** et bénéficie d'une garantie de 5 ans***, la meilleure de sa catégorie. Avec une fiabilité à long terme améliorée, le 850 EVO assure des performances fiables à long terme jusqu'à 30 % plus longues que la génération précédente 840 EVO.

* Mesuré par les terraoctets écrits (TBW)
** Mesuré avec un test d'écriture aléatoire de 12 heures de performance soutenue
*** Le plus élevé parmi les disques SSD de classe MLC 3 bits

Spécifications complètes

Taper

Type de produit : Disque SSD

Interface : Interface SATA 6 Gb/s, compatible avec les interfaces SATA 3 Gb/s et SATA 1,5 Gb/s

Application

Consommateur : PC clients

Espace de rangement

Capacité : 500 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA)
* La capacité utilisable réelle peut être inférieure (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, des applications ou autre)

Principales caractéristiques

Vitesse de lecture séquentielle : jusqu'à 540 Mo/s en lecture séquentielle
* Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Vitesse d'écriture séquentielle : jusqu'à 520 Mo/s Écriture séquentielle :
* Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Vitesse de lecture aléatoire :

• Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) : jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire

  * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système

• Lecture aléatoire (4 Ko, QD1) : jusqu'à 10 000 IOPS en lecture aléatoire

  * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système

Vitesse d'écriture aléatoire :

• Écriture aléatoire (4 Ko, QD32) : jusqu'à 90 000 IOPS en écriture aléatoire

  * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système

• Écriture aléatoire (4 Ko, QD1) : jusqu'à 40 000 IOPS en écriture aléatoire

  * * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système

Vitesse de mémoire : V-NAND 3D Samsung 32 couches ; Samsung 512 Mo de mémoire SDRAM DDR3 basse consommation

Prise en charge des garnitures : Oui

Contrôleur : Contrôleur Samsung MGX

Cryptage AES : Cryptage AES 256 bits (classe 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (lecteur crypté)

Général

Consommation électrique (W): 50 mWatts
* La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

• Moyenne : 3,0 watts *Maximum : 3,5 watts (mode rafale)
  * La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Tension : 5 V ± 5 % Tension admissible

Fiabilité (MTBF) : 2 millions d'heures de fiabilité (MTBF)

Spécifications environnementales

Température de fonctionnement : 32 ºF - 158 ºF

Facteur de forme

Produit : facteur de forme de 2,5 pouces

Dimensions (L x P X H)

Produit : 3,94" x 2,75" x 0,27"

Poids

Produit : 0,1 lb

garantie

Produit : Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 150 TBW

Les caractéristiques et spécifications peuvent être modifiées sans notification préalable.